二、N沟道耗尽型MOS管
在制造MOS管时，在SIO2绝缘层中掺入大量正离子， =0，在正离子的作用下P型衬底表层也存在反型层，即漏-源之间存在导电沟道，在漏-源之间加正向电压，就会产生漏极电流，如图所示。
工作原理：
◆ >0，反型层变宽，沟道电阻变小， 增大；
◆ <0，反型层变窄，沟道电阻变大， 减小；
◆ 减小到一定值时，反型层消失，漏-源之间导电沟道消失， =0。此时的 称为夹断电压 。
注意：
N沟道结型场效应管的夹断电压为负值，但只能在 <0的情况下工作；
绝缘栅型N沟道耗尽型MOS管的夹断电压也为负值，而且 可在正、可负值的一定范围内实现对 的控制。
一、N沟道增强型MOS管
三、P沟道MOS管
四、VMOS管
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>0，反型层变宽，沟道电阻变小， 
增大； <0，反型层变窄，沟道电阻变大， 减小； 减小到一定值时，反型层消失，漏-源之间导电沟道消失， =0。此时的 称为夹断电压 
。 <0的情况下工作； 可在正、可负值的一定范围内实现对 的控制。
