四、VMOS管
MOS管不能承受较大的功率。VMOS管从结构上较好地解决了散热问题，可制成大功率管，结构如图所示。
在栅-源电压 大于开启电压 时，在P区靠近V型槽氧化层表面所形成的反型层与下边区相接，形成垂直的导电沟道。漏-源间外加正电源时，自由电子将沿沟道从源极流向N型外延层、N+区衬底到漏极，形成从漏极到源极的电流 。
VMOS管的漏区散热面积大，便于安装散热器，耗散功率达千瓦以上；漏-源击穿电压高，上限工作频率高；当漏极电流大于某值（500mA）时， 与 基本成线性关系。
一、N沟道增强型MOS管
二、N沟道耗尽型MOS管
三、P沟道MOS管
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大于开启电压 
时，在P区靠近V型槽氧化层表面所形成的反型层与下边区相接，形成垂直的导电沟道。漏-源间外加正电源时，自由电子将沿沟道从源极流向N型外延层、N+区衬底到漏极，形成从漏极到源极的电流
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